Ingenieurbüro für EMV

Dipl.-Ing. Heinz Lindenberger

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Wechselwirkungen

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Resonanz

Bestimmung der Eigenresonanz des Zwischenkreis-Kondensators der kleineren Leistungs-Elektronik  LE2

Die Resonanzfrequenz ergibt sich aus der Kapazität des Kondensators C1 und der Induktivität der Zuleitungen L3 bis L6


Die Spannungsquelle auf der rechten Seite simuliert die Rippelspannung aus dem großen Inverter

Der Innenwiderstand eines großen Inverters in Bezug auf die erzeugte Rippelspannung kann mit wenigen Milli-Ohm angenommen werden - hier dargestellt durch R_out    (die für Spice notwendige Verbindung zu GND wird durch den hochomigen Widerstand R_Spice realisiert)


Die Leistungsaufnahme der kleineren Leistungs-Elektronik LE2 wird durch den Widerstand R_LE2 repräsentiert: 100 Ohm = 1.6 KW an 400 V


Die Batterie-Seite wird zunächst noch als offenes Ende betrachtet

Der Verlauf des Kondensatorstroms über Frequenz im logarithmischen Diagramm links und im linearen Diagramm rechts

Simulation des Kondensator-Stroms mit zusätzlichem einfachem Batterie-Modell

Resonanz-log
Resonanz-lin-lin

Aus dem Kurvenverlauf wird sehr deutlich, wie extrem der Strom im Zwischenkreis-Kondensator bei der Resonanzfrequenz  überhöht werden kann

In unserem Beispiel genügt eine Spannung von 1 Volt um im Resonanzpunkt einen Strom von über 90 A durch den Kondensator zu treiben


Zu beachten:    alle Induktivitäten hier weisen einen Serien-Widerstand von 0 Ohm auf

Resonanz-Bat-10m
Resonanz-log-bat-10m
Resonanz-lin-lin-bat-10m

Der Verlauf des Kondensatorstroms über Frequenz im logarithmischen Diagramm links und im linearen Diagramm rechts

Resonanz-Ltg
Resonanz-log-Ltg
Resonanz-lin-lin-Ltg

Simulation mit zu den Induktivitäten äquivalenten Leitungen

Anstelle der Induktivitäten sind äquivalente Leitungen eingesetzt. Eine Induktivität von 1 uH entspricht dabei ziemlich genau einer Leitung mit einer Länge von 90 cm und einem Wellenwiderstand von 333 Ohm. Die Länge ist hier die elektrische Länge der Leitung. Die elektrische  Länge wird durch das Dielektrikum der Leitung um Wurzel(Epsilon r) verlängert. Bei typischen geschirmten HV-Leitungen wäre die mechanische Länge etwa die Hälfte, also ca 45 cm.


Die Schirmung einer Leitung hat einen sehr wesentlichen Einfluss auf den Wellenwiderstand und damit die äquivalente Induktivität und die Resonanzfrequenz  der angschlossenen Elektroniken. Dies ist bei der Auslegung von Bordnetzen zu beachten

Mit den äquivalenten Leitungen ergeben sich identische Stromkurven zu der Simulation mit Induktivitäten

Resonanz-log-Ltg-W12
Resonanz-lin-lin-Ltg-W12

Mit geschirmten Leitungen (Wellenwiderstand 12 Ohm) verschiebt sich die Resonanzfrequenz von 10 kHz auf > 50 kHz  bei gleicher Länge

Durch den Einfluss des Batterie-Modells ergibt sich eine leichte Verschiebung der Resonanzfrequenz und eine deutliche Reduzierung des maximalen Stroms in der Resonanzstelle  -  von über 90 auf etwa 25 A

Wegen der leichteren Handhabung und der besseren Übersichtlichkeit werden in den folgenden Simulationen wieder Induktivitäten anstelle von Leitungen verwendet


Wie die obigen Beispiele gezeigt haben, bestehen in dem betrachteten Frequenzbereich keine signifikanten Unterschiede

Resonanz-Bat-10m-AN

Rippelspannungs-Test mit Bordnetz-Nachbildung (BNN)

Die Bordnetz-Nachbildung entkoppelt den dämfenden Einfluss der Batterie

Umso wichtiger wird der Innenwiderstand des Prüfgenerators, wie in den nachfolgenden Diagrammen zu sehen ist (natürlich sind die Leitungslängen bei einer realen Prüfung andere, in unserem Beispiel aber nicht, um die Auswirkungen leichter vergleichen zu können)  

Resonanz-log-bat-10m-AN
Resonanz-lin-lin-bat-10m-AN

Kondensatorstrom mit Bordnetz-Nachbildung (BNN) bei 10 mOhm Generator-Widerstand  (logarithmisch links,  linear rechts)

Resonanz-log-bat-100m-AN
Resonanz-lin-lin-bat-100m-AN

Kondensatorstrom mit Bordnetz-Nachbildung (BNN) bei 100 mOhm Generator-Widerstand  (logarithmisch links,  linear rechts)

Mit 100 mOhm statt 10 mOhm Ausgangswiderstand des Generators reduziert sich der maximale Kondensatorstrom von über 90 A auf ca 10 A

Rippelspannung-asc-LE2-ESR-1m

Simulation im Zeitbereich:    Rippelspannung vom realen Inverter mit 10 kHz Takt, bei 100% Modulation und 200 Hz Drehfrequenz

                                                    L1 bis L4 zusammen mit C1 in Resonanz bei der Taktfrequenz

Rippelspannung-LE2-ESR-1m

Rippelspannung (Blau: V(HV-DC)),    der Rippelstrom durch C1 (Rot: I(C1))    mit ESR = 1 mOhm     und der Phasenstrom (Grün: I(L_U))  

                                                                                                               RMS von I(C1) = 162 A

Rippelspannung-LE2-ESR-10m

Rippelspannung (Blau: V(HV-DC)),    der Rippelstrom durch C1 (Rot: I(C1))    mit ESR = 10 mOhm     und der Phasenstrom (Grün: I(L_U))  

                                                                                                               RMS von I(C1) = 136 A

Rippelspannung-asc-LE2-ESR-1m-100nH
Rippelspannung-LE2-ESR-1m-100nH

Simulation im Zeitbereich:    Rippelspannung vom realen Inverter mit 10 kHz Takt, bei 100% Modulation und 200 Hz Drehfrequenz

                                                    L1 bis L4     100 nH statt 1 uH       nicht in Resonanz mit C1 bei der Taktfrequenz

Rippelspannung (Blau: V(HV-DC)),    der Rippelstrom durch C1 (Rot: I(C1))    mit ESR = 1 mOhm     und der Phasenstrom (Grün: I(L_U))  

                                                                                                               RMS von I(C1) = 50 A

Wie schon angemerkt, weisen ungeschirmte Leitungen eine wesentlich höhere Induktivität auf, als geschirmte Leitungen. Der Übergang zum ungeschirmten Bordnetz  könnte damit die Induktivität der Leitungen von einigen 100 nH in den Bereich von mehreren Mikro-Henry schieben und damit die Zwischenkreise von kleineren Leistungs-Elektroniken in den hier gezeigten Resonanzbereich.

Rippelspannung-LE2-ESR-1m-C1-Ph

Türkis:  V(N001, N002)  Rippelspannung am Zwischenkreis von LE2 (an C1) im Resonanzfall  mit 4 x 1 uH   und mit ESR = 1 mOhm


Eventuell auch problematisch:      

Die Rippelspannung am Zwischenkreis der LE2 ist  um den Faktor 4 höher als am Inverter-Port, V(HV-DC), 160 V statt 40 V

Rippelspannung-LE2-ESR-1m-C1-Ph-100nH

Türkis:  V(N001, N002)  Rippelspannung am Zwischenkreis von LE2 (an C1) kein Resonanzfall  mit 4 x 100 nH   und mit ESR = 1 mOhm

 

Unproblematisch:          Die Rippelspannung am Zwischenkreis der LE2 ist  nur wenig höher als am Inverter-Port, V(HV-DC)

Rippelspannung-asc-LE2-ESR-1m-7kHz

Gegenprobe mit verschobener Taktfrequenz:        7 kHz statt 10 kHz          und anschließend     13 kHz statt 10 kHz

Rippelspannung-LE2-ESR-1m-7kHz
Rippelspannung-LE2-ESR-1m-13kHz
Rippelspannung-LE2-ESR-1m

                                                                                Taktfrequenz:      7 kHz             RMS von I(C1) = 51 A

                                                                                Taktfrequenz:    10 kHz             RMS von I(C1) = 162 A

                                                                                 Taktfrequenz:    13 kHz             RMS von I(C1) = 46 A

Analog zu den Simulationen im Frequenzbereich, ergibt sich auch bei der Simulation im Zeitbereich mit komplettem Inverter eine drastische Überhöhung, wenn der Takt auf 10 kHz steht und mit einer Drehfrequenz von 200 Hz die höchsten Spektrallininien bei 9.4 und 10.6 kHz stehen -

und damit sehr nah bei der Zwischenkreis-Resonanz der LE2


Selbst bei 7 kHz Takt ist der Effektiv-Strom durch den Zwischenkreis-Kondensator C1 auf unter ein Drittel gesunken, obwohl sich durch den niedrigeren Takt die Rippelspannung erhöht hat  


Im Unterschied zu den Simulationen im Frequenzbereich, nähert sich der Kondensator-Strom auch weitab der Resonanz aber niemals 0, das verhindern die zahlreichen Nebenlininien die zu jeder Zeit existent sind (siehe Spektrum)

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